IGBT模塊的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP（原來為NPN）晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。驅動方法和MOSFET基本相同，隻要控製輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成後，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調製，減小N-層的電阻，使IGBT模塊在高電壓時，也具有低的通態電壓。